在全新的65nm系列CPU产品线中，AMD加入了0.5倍频的选择，因此在内存的分频设置上又多出了整整一倍的设置，但实际上是有点规律可循的。从我们上面整理出来的表格可以了解到，x.5倍频在设置为DDR400的时候会四舍五入地归为更大一级的整数倍频，以9.5倍频为例，因此DDR 400时候的分频跟10倍频一样同样为/10；而其余的DDR 533、DDR 667以及DDR800的分频则是跟小一级的整数倍频，同样以9.5倍频为例，DDR 533、DDR 667以及DDR800时候的分频跟9倍频一样同样分别为/7、/6以及/5。


　　最后说说超频中相当重要的内存参数设置，由于不同的内存颗粒有着不同的特性，因此我们在此也仅能概括地说说几个比较重要的参数设置，一些细节的参数玩家还需针对自己的内存进行细腻的调教。由于我们这次利用的是SUPOX磐正超磐手的AF570T Ultra主板进行测试，因此接下来的讲解说明，我们也以这款主板的设置为例，而其他主板的相关设置选项也大同小异。

　　Memory Timing[Auto/1T/2T]，相信大家都记得1T的Memory Timing设置在AMD的Socket939平台对性能起着相当重要的左右，但来到DDR2的AM2平台，这个设置则显得不再重要，在相同频率下1T相比起2T的性能提升并不明显，但却会对内存超频造成相当明显的影响，因此笔者建议在超频测试中把这个选项设置为2T。
　　CAS＃ Latency(tCL)[Auto/3/4/5/6]，这是最重要的内存参数之一，通常玩家都会把把它放到第一位，主要影响稳定性和性能，轻微影响带宽。如果并非是一些极端的颗粒，内存频率需要设置为333MHz以上的话，笔者建议把该参数设置为5。
　　RAS# to CAS# delay(tRCD)[Auto/3T/4T/5T/6T]，这个参数主要影响带宽和稳定性和性能，数值越小越好，在超频时大部分内存在设定为5以上时会改善不少稳定性。
　　Row Precharge Time(tRP)[Auto/3T/4T/5T/6T]，这个参数主要影响带宽和稳定性，数值同样时越小越好，若需要冲击较高得频率，笔者还是建议把该参数设置为5。
　　MinRAS# Active Timing(tRAS)[Auto/5T/6T/7T/8T/9T/10T/11T/12T/13T/14T/15T/16T/17T/18T]，这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数，轻微影响带宽性能，在部分内存上主要影响稳定性，在DDR2的平台上通常设为12后内存能达到最好的超频能力。

　　RefreshRow Cycle for DIMM1～4(tRFC)[Auto/75ns/105ns/127.5ns/195ns/327.5ns]，这个参数主要影响带宽和稳定性，不同的内存颗粒在超频时需要有不同的设置，否则会对内存的稳定性造成比较大的影响。在测试中，我们利用MicronD9GCT颗粒的内存进行超频时，该参数的要求并非十分紧，即使是设为Auto进行超频也能实现较高的频率，而当我们利用HynixFC-Y5的颗粒进行超频时，通过多次的尝试，我们需要把相应的DIMM设置为127.5ns才能让内存工作在稍高的频率下，否则333MHz都不能达到，所以玩家在超频的时候还是需要动手多试试。

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